Development/전자공학 (2) 썸네일형 리스트형 삼성의 NAND 언급 예전에, 삼성이 NAND 거리기 전에 내가 자전거 속도계 프로젝트에서 조원들이 블로그 따라하고 있다가 뭐가 안돼서 내가 보고 AND 소자 대신에 NAND 소자 쓰거나 NOT 게이트 하나 다 달면 된다고 해서 한게 있는데 그 때 썼던게 NAND 소자인데 설마 이거 때문에 삼성이 해킹 톡방 관련해서 나와 관련해 ‘대중의 인식’을 얻고자 내가 썼던 ’NAND'를 썼다고 어필하고 있는건 아니겠지? 그 때 뒤에 NOT 게이트 더 추가하면 되잖아 라고 했다가 혹시나 부품을 추가로 더 달 공간이 없는거면 AND 게이트 떼고 NAND 게이트를 달면 되잖아? 라고 해서 NAND를 달아서 했는데 그 NAND? 소자를 2개가 아닌 1개를 쓰게 되면 그 만큼 부품을 거치면서 발생되는 전기적 딜레이, 반도체 동작 시간, 그리고.. EEPROM과 Flash Memory 비교 EEPROM EEPROM(Electrically Erasable PROM)은 On-Board 상태에서 사용자가 내용을 Byte 단위로 Read하거나 Write 할 수 있으므로 사실상 SRAM처럼 사용 할 수 있는 비휘발성 메모리이다. (NVRAM, Non-Volatile RAM이라고 부르기도 한다.) 그러나, 이것의 Read 동작은 Access동작이 다소 느릴지라도 SRAM과 유사하므로 별 문제가 없는데 비하여, Wirte 동작을 수행하는 경우에는 1byte를 write 할 때마다 수 ms이상의 시간 지연이 필요하므로 SRAM과 동일하게 사용할 수는 없다. 따라서 EEPROM은 실시간으로 사용되는 변수를 저장하는 메모리나 스택 메모리로는 사용될 수 없으며, 한번 내용을 저장하면 비교적 오랫동안 이를 기억.. 이전 1 다음